|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 2758357个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]电连接器-CN201811513948.1有效
-
张军
-
番禺得意精密电子工业有限公司
-
2018-12-12
-
2020-10-30
-
H01R12/71
- 本发明公开了一种电连接器，用以电性连接一芯片模块，包括：一绝缘本体，绝缘本体外围设有至少一侧壁；一第一接触区域，设于绝缘本体；至少一第二接触区域设于绝缘本体，第二接触区域比第一接触区域更远离绝缘本体中央；多个导电端子对应收容于第一接触区域和第二接触区域中，用以抵接芯片模块；多个弹性部，连接第一接触区域、第二接触区域和侧壁；将一大面积的接触区域分为一第一接触区域和多个第二接触区域，第一接触区域与第二接触区域不会因端子槽太多太密而发生较大的翘曲变形，弹性部使第一接触区域与第二接触区域在受热膨胀时不会相互影响，保证导电端子与电路板良好的电性连接。
- 连接器
- [发明专利]一种船舶分段的外板涂装方法-CN202010463388.4在审
-
王志鸥;陆新明;葛赛;刘娇玉
-
广船国际有限公司
-
2020-05-27
-
2020-07-31
-
B63B73/20
- 本发明公开一种船舶分段的外板涂装方法，首先，提供船舶分段、若干分段支撑和若干坞墩，船舶分段包括外板，外板的外侧面上设置有第一接触区域和第二接触区域，第一接触区域与第二接触区域间隔设置；然后，使船舶分段被若干分段支撑承载于第一接触区域，对外板的第一接触区域以外的区域进行涂装；最后，使船舶分段被若干坞墩承载于第二接触区域，对外板的第一接触区域进行涂装。本发明在船舶分段的外板上间隔设置出第一接触区域和第二接触区域，通过让分段支撑在第一接触区域承载船舶分段，让坞墩在第二接触区域承载船舶分段，使船舶分段从分段支撑转移至坞墩上时，之前被分段支撑遮挡的外板区域完全分布在坞墩之外
- 一种船舶分段外板涂装方法
- [发明专利]用于将半导体模块与中间回路电容器连接的低电感的连接设备-CN201980083899.9在审
-
G·弗拉姆;M·马尔科尔;C·阿伦兹;R·许茨
-
罗伯特·博世有限公司
-
2019-11-25
-
2021-07-23
-
H01L25/07
- 本发明涉及一种用于将半导体模块（20）与中间回路电容器（30）连接的低电感的连接设备（10）；所述连接设备包括：至少一个第一接触区域（11a）和与所述第一接触区域（11a）极性相反的第二接触区域（12），所述第一接触区域和所述第二接触区域设置用于与所述半导体模块（20）接触；与所述第一接触区域（11a）极性相反的第三接触区域（13a）和与所述第三接触区域（13a）极性相反的第四接触区域（14），所述第三接触区域和所述第四接触区域设置用于与所述中间回路电容器（30）接触；至少一个第一连接区域（15a），所述第一连接区域设置用于使所述第一接触区域（11a）和所述第三接触区域（13a）相互连接；至少一个第二连接区域（16a），所述第二连接区域设置用于使所述第二接触区域（12）和所述第四接触区域（14）相互连接；其中，所述第一连接区域（15a）和所述第二连接区域（16a）分别构造为彼此隔开的平面的汇流排。
- 用于半导体模块中间回路电容器连接电感设备
- [发明专利]制冷剂压缩机-CN202010324755.2有效
-
M·达席尔瓦卡斯特罗;王帅;M·哈托里
-
思科普有限公司
-
2020-04-23
-
2022-08-23
-
F04B39/00
- 一种制冷剂压缩机，包括气密密封的壳体和设置于壳体的内部中的驱动单元，其中壳体的内部中设置用于抑制和限制驱动单元的偏转的至少一个阻尼元件，阻尼元件连接至驱动单元，阻尼元件具有三个接触区域，在驱动单元的第一偏转状态中，第一接触区域与壳体的对应的第一内表面区域接触，在驱动单元的第二偏转状态中，第二接触区域与所述壳体的对应的第二内表面区域接触，但第一接触区域不与壳体的第一内表面区域接触，在驱动单元的第三偏转状态中，第三接触区域与壳体的对应的第三内表面区域接触，但第一接触区域不与第一内表面区域接触且第二接触区域不与第二内表面区域接触，并且第一接触区域、第二接触区域和第三接触区域通过至少一个边缘彼此分离。
- 制冷剂压缩机
- [发明专利]缓冲件-CN201010231350.0有效
-
大隈博辉;积田敏和
-
富士施乐株式会社
-
2010-07-16
-
2011-04-27
-
B65D81/05
- 当沿着第一面对方向将缓冲件安装到管状部件上时，该管状部件的内周面接触第二突出部的一部分，第一突出部的第一部分接触第一接触区域，第二突出部的第二部分接触第二接触区域，第三突出部的第三部分接触第三接触区域，第一接触区域与第二接触区域之间的距离小于第一接触区域与第三接触区域之间的距离，第二接触区域在突出的方向上距基部的长度大于第三接触区域在突出的方向距基部的长度。
- 缓冲
- [发明专利]半导体存储器件-CN201910921105.3在审
-
金熙中;金根楠;李宪国;黄有商
-
三星电子株式会社
-
2019-09-27
-
2020-04-14
-
H01L27/11524
- 所述半导体存储器件包括衬底，该衬底包括单元区域、第一接触区域、第二接触区域和设置在第一接触区域与第二接触区域之间的位外围电路区域。第一堆叠结构设置在单元区域和第一接触区域上。第二堆叠结构设置在单元区域和第二接触区域上。外围晶体管设置在位外围电路区域上并且电连接到第一堆叠结构和第二堆叠结构。第一堆叠结构和第二堆叠结构均包括：竖直堆叠在单元区域上的多个半导体图案；以及连接到多个半导体图案并且沿第一方向从单元区域延伸到对应的第一接触区域和第二接触区域上的多条导线。多条导线在第一接触区域和第二接触区域上具有阶梯结构。
- 半导体存储器件
|
